| 擬似電源回路網（AMN/LISN）の仕様改訂 |
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| 2006年8月8日 |
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CISPR 16-1-2:2003-11に対するAmendment 2:2006-07がIECより正式に発行されました。この改訂の主な内容は次の通りです。
従来の規格にて、擬似電源回路網（AMN/LISN）に要求されていた内容に加え、新たに次の内容が規定されました。
| 1) |
現在のインピーダンス|Z|規定値に対して、新たにインピーダンス位相角（Phase
Angle）の許容範囲を規定した。 |
| 2) |
VSWR低減の為、RF出力ポートに10dBの固定減衰器を挿入すること。（内蔵or外付け何れでも良い。）
この状態で、RF出力ポートのVSWRは1.2以下であること。また、AMNの電圧分圧比はこの固定減衰器を含めて測定すること。 |
| 3) |
線路とRF出力ポート間の分離度（Isolation or decoupling factor）をMin. 40dB（f>150kHz）として新たに規定した。 |
このうち、1) のインピーダンス位相角については、計算値±11.5°を許容範囲としている。（インピーダンスの許容範囲は従来通り±20%以内である。）
例えば、50Ω/50uHのAMNの場合、許容範囲は図2で示すようになります。
AMNのインピーダンス位相角の特性がこの許容を満たさない場合、測定した位相角は不確かさの要因として、CISPR
16-4-2に基づいて評価すべきとしています。（Annex I, Informative）
図1〜2に50Ω/50uH AMNのインピーダンス&位相特性を、図3〜4に50Ω/50uH+5Ω
AMNのインピーダンス&位相特性をそれぞれ示します。（図で示すグラフは弊社にて計算した値をプロットしたものです。）
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